Очистка сточных вод от ионов кадмия производится путем подщедачивания их до pH = 10,5. Образующиеся, мелкодисперсные частицы Cd(OH)2 могут быть выделены в осадок коагуляцией сульфатами алюминия ...
Мочалов, Георгий Михайлович. Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка: дис. доктор технических наук: 02.00.04 - Физическая химия. Нижний Новгород. 2009. 364 с.
Слой из теллурида кадмия подвергается тепловой обработке в присутствии хлорида кадмия при температуре 420°С в течение приблизительно 20 минут. Такая обработка ускоряет рост зёрен в слое из ...
Сущность изобретения: для удаления с поверхности теллурида кадмия и ртути кластеров ртути образец полупроводника перед обработкой в вакууме помещают в сосуд, заполненный водородом и ...
Солнечные батареи на основе теллурида кадмия смогут стать выгоднее природного газа. 03.02.2020 - by E²nergy 1.1K. Эффективный, безопасный и экономичный способ получения теллурида кадмия (CdTe ...
Прямым физико-химическим методом определена граница области гомогенности CdTe со стороны избытка кадмия в интервале температур 1207 1354 К. Установлено, что вблизи максимальной температуры плавления наблюдается ...
тов (СЭ) на основе сульфида и теллурида кадмия яв-ляется создание гибких приборных структур путем замены стеклянной подложки на прозрачную термо-стабильную полиимидную пленку [1].
Сульфид кадмия, селенид кадмия, теллурида кадмия Единицы СИ и STP, если не указано иное. Оксид кадмия представляет собой неорганическое химическое соединение кислорода и кадмий формулы СсЮ .
Очистка сточных вод от меди связана с осаждением ее в виде гидроксида или гидроксид-карбоната: Возможен процесс извлечения меди из сточных вод осаждением ферроцианидом калия.
Солнечная технология на основе теллурида кадмия (CdTe) была впервые представлена в 1972 году, когда Боннет и Рабенхорст разработали гетеропереход CdS/CdTe, который позволил производить солнечные …
Наличие достаточно широкой области гомогенности теллурида кадмия обусловливает возможность существования в нем точечных атомных дефектов как в подрешетке Cd, так и в подрешетке Те .
Например, нанополимер теллурида кадмия, покрытый сульфидом цинка (CdTe / ZnS), на который прививаются копии небольшого белка, который связывается с белками, характерными для новых кровеносных ...
от их энергии для кристаллов кремам, германия, теллурида кадмия и йодистого натрия приведены Таблица 2 Полупроводник Атомный номер 14 Се 32 (fa As ЗЦЗЗ CdTc 48;52 на рис.2. Сечете фото ...
МДП СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ Мирсагатов ш. А.. Султанов Н. А., Таджибаев м., Каримов Е. x.. Юсупова Д. Ферганский политехнический институт
Тонкие пленки теллурида кадмия в настоящее время рассматриваются как пер- спективные материалы для создания широкого класса электронных приборов, и осо-
Кристаллы теллурида кадмия и твердых растворы на его основе широко применяются для детекторов ионизирующего излучения [1] и в качестве подложечного материала для ИК фотоприемников [2].
Муслимов, Арсен Эмирбегович. Влияние рельефа подложек лейкосапфира на процессы роста эпитаксиальных пленок теллурида кадмия и частиц золота: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.18 - …
RU2033658C1 - Травитель для химического полирования подложек из теллурида кадмия - Google Patents Травитель для химического полирования подложек из теллурида кадмия Download PDF Info Publication number ...
Кадмий очистка. Очистка цинка и кадмия. Очистка цинка и кадмия-производится путем 3—4-кратной дистилляции их в запаянных в вакууме кварцевых ампулах или ампулах из специального стекла с ...
Request PDF | On Jan 1, 2013, Е. Н. Можевитина and others published Область гомогенности теллурида кадмия | Find, read and cite all the research you ...
Solar cells (SCs) based on cadmium-telluride base layers, obtained by thermal evaporation and closed-space sublimation (CSS), are investigated. The base layers are activated via annealing in Freon. Structural and morphological studies are carried out